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[표지]

연구결과 요약문

목차

1. 연구개발과제의 개요 4

(1) 기술의 개념 및 정의 4

GaN HEMT 4

WBG(Wide-Bandgap) 4

Fail Safety 4

(2) 연구개발의 목적 4

(3) 시장 동향 4

(4) 연구개발의 범위 5

WBG 소자의 물성적 구조 및 Fault 메커니즘 연구 5

열화에 의한 주요 파라미터의 특성 변화 및 열화 지표 분석 5

빠른 응답이 가능한 WBG 소자용 Fail Safety 알고리즘 및 보호 회로연구 5

GaN HEMT의 물성적 구조에 따른 단락 특성 비교 및 위상레그 전압 기반 보호회로연구 5

2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 6

1) 1년 차 수행 과정 및 수행 내용 6

WBG 소자의 물성적 구조에 따른 특징 연구 6

외부 변수에 의한 Fault 발생 메커니즘 및 고장 발생 시간 연구 6

300W H/W Prototype 제작 7

2) 2년 차 수행 과정 및 수행 내용 8

Fail Safety 알고리즘 및 보호회로연구 8

GaN HEMT 물성적 구조별 단락 특성 분석 9

3) 3년 차 수행 과정 및 수행 내용 10

WBG 노화 시 변화하는 주요 인자 분석 10

과전압에 의한 변화 10

과전류에 의한 변화 10

빠른 응답속도를 가진 GaN HEMT 보호회로 개발 11

3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 12

1) 정성적 연구개발성과(연구개발결과) 12

1차연도 연구개발성과 12

2차연도 연구개발성과 12

3차연도 연구개발성과 13

2) 세부 정량적 연구개발성과 : [붙임1] 참조 13

3) 목표 달성 수준 13

4) 목표 미달 시 원인 분석(해당 시) 13

4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) 14

5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 14

6. 자체점검표 15

7. 참고문헌 16

붙임 18

1. 세부 정량적 연구개발성과 18

2-1. 연구책임자 대표적 연구실적 20

2-2. 주관연구책임자 대표적 논문·특허실적 요약문 21

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