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표제지

목차

Abstract 10

1. 서론 11

2. 실험 14

2-1. 시약 14

2-2. HDI PR 성분 분석 및 stripping 메카니즘 조사 14

가. HDI PR 분석/Stripping mechanism 14

2-3. 초임계 이산화탄소와 초음파 stripping과 세정 적용성 평가 15

가. 실험실 규모 장치 도면 15

2-4. 공용매 및 첨가제 기술 개발 16

3. 결과 및 고찰 17

3-1. 초임계 CO₂ 초음파 세정 기술의 적용성 평가 17

가. 패턴 손상도 조사 17

3-2. 공용매 및 첨가제 기술개발 20

가. 산, 산화제, 극성 용매 등 공용매 및 첨가제 평가 및 비교 20

나. 초임계 초음파 성능 확인 22

3-3. 공정 변수에 따른 세정 성능 평가 24

3-4. 초음파 장비 적용에 따른 공용매 배합 기술 개발 26

가. 공용매와 첨가제 혼합물에 따른 HDI PR 제거 효과 26

나. 다양한 공용매의 HDI PR 제거 효과 28

3-5. 초음파 장비 적용에 따른 세정 첨가제 배합 기술 개발 33

3-6. 초음파 장비 적용에 따른 HDI PR Stripping 공정 기술 개발 35

3-7. 다양한 형태의 HDIPR 제작(실증화용) 및 stripping 기술개발 38

3-8. 세정 첨가제 및 세정 공정 기술의 최적화 39

가. He 차단막 공정 조건 (압력, 최적 반응기 구조, 공정순서) 도출 39

3-9. 실증화 주요 공정 인자 확보 42

4. 결론 43

VI. 참고문헌 44

List of Tables

Table 1. The various manufacture the pattern 14

Table 2. The ingredient of the pattern 17

Table 3. Variable Co-solvents effect of PR stripping Results 21

Table 4. Results of PR stripping test with Py/Act in 23

Table 5. Results of PR stripping test with HF/Py/DMSO in 26

Table 6. Variable co-solvent effect of HDI PR stripping (HF concentration: 2.02w/v% in scCO₂) 28

Table 7. SiO₂ thickness: 1100nm 60℃, 4000psi with sonication 31

Table 8. Results of PR stripping with different solvents 33

Table 9. Pattern wafer conditions 38

Table 10. Results of PR stripping with different effect (10cc volume cell, 4000psi, 70℃, 3min) 41

그림목차

Fig 1. stripping mechanism 15

Fig 2. Schematic diagram of the scCO₂ stripping apparatus. 15

Fig 3. the used pattern image 17

Fig 4. A : scratch , B : H₂O , C : scCO₂ 18

Fig 5. A : 2500psi, B : 3000psi, C : 4000psi 18

Fig 6. A : 40℃ B : 50℃ C : 60℃ D : 70℃ 19

Fig 7. A : 1min , B : 2min, C : 3min, D : 4min, E : 5min 19

Fig 8. Schematic diagram of the scCO₂ solvent stripping apparatus. 20

Fig 9. Results of PR stripping image 21

Fig 10. A : Py 10wt/% in CO₂, B : Act 15wt/% in CO₂, C : Py/Act(2:8) 15wt/% in CO₂, D : Py/Act(5:5) 15wt/% in CO₂, E : Py/Act(8:2) 15wt/% in CO₂ 24

Fig 11. SEM results of temperature effect on HDI PR stripping 25

Fig 12. SEM image of PR stripping test with HF/Py/DMSO in scCO₂ 27

Fig 13. SEM image of variable co-solvent effect on HDI PR stripping (HF concentration: 2.02w/v% in scCO₂) CO₂-process conditions: 9cc volume cell, 4000psi, 60℃, 3min with Ultrasonication 28

Fig 14. SEM result of different solvent effect; A: HF/Py 1:5 mixture, B: HF/Py 1:20 mixture, C: H2O2, D: Pyridine E: Hydrazine treatment at room temperature, 5min liquid state reaction 29

Fig 15. SEM result of Pyridine mixture effect; A: HF/Py 1:5 mixture, B: HF/Py 1:20 mixture, C: Pyridine, D: Hydrazine, magnified image of HDI PR resdues on the wafer after treatment of above mixture, at 85℃, 5min liquid... 30

Fig 16. SEM result of different solvent effect; A: HF/Py 1:5 mixture, B: HF/Py 1:20 mixture, C: Pyridine D: Hydrazine treatment at 85℃, 5min liquid state reaction with ultrasonication effect 31

Fig 17. SiO₂ thickness: 1100nm 60℃, 4000psi with sonication 32

Fig 18. The dependence of SiO₂ thickness on Py concentration 32

Fig 19. PR stripping test with various co-solvents; A: 20w/v% of Py in scCO₂ at 85℃, B: 20w/v% of Py in scCO₂ at room temperature, C: 20w/v% of Hydrazine in scCO₂ at 85℃(pattern area), D: 20w/v% of Hydrazine in scCO₂... 34

Fig 20. SEM images wafer surface after HDI PR stripping followed by pure CO₂ flow 35

Fig 21. SEM images wafer surface after HDI PR stripping followed by pure CO₂-flow speed 36

Fig 22. scCO₂ and He barrier effect 36

Fig 23. SEM images wafer surface after HDI PR stripping followed by pure CO₂, He flowl 37

Fig 24. SEM images of various HDI PR patterns 38

Fig 25. 공정 조건 별 HDIPR stripping 제거효과 비교 39

Fig 26. SEM images wafer surface after HDI PR stripping 4000psi, 70℃, Py 20wt%, A: 4min 반응, B: Stirrer 사용 3min 반응, C: 초음파 사용 3min 반응 40

Fig 27. HDI PR Stripping System 42

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