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LPCVD로 560℃와 650℃ 온도에서 실리콘 박막을 제작하였다. 온도에 따른 천이온도를 살펴보았으며, 비정질로 제작된 실리콘 박막을 900℃와 1100℃에서 열처리하였다. 제작된 박막에 대해서 XRD, SEM, ellipsometer, Tektak3, Tencor FLX-2320등 그 외 장비를 사용하여, 박막의 결정 방향, 표면 거칠기, 활성화 에너지, 잔류 응력 등을 조사하였다. 본 실험을 통해 560℃에서 비정질로 증착시키고 900℃-1100℃열처리 통해 얻은 다결정실리콘 박막은 처음부터 다결정으로 제작한 박막에 비해 낮은 잔류 응력과 표면 거칠기를 보였다.

LPCVD silicon films were deposited at temperatures between 560℃ and 650℃. Structure, surface roughness, films thickness and residual stress were measured by using XRD, SEM, ellipsometer, Tektak3, Tencor FLX-2320 and other techniques. Polysilicon films of low stress, small surface roughness were obtained when the films are deposited at 560℃ in the amorphous phase and subsequently annealed to make polycrystalline silicon layers at 900℃-1100℃. The silicon films deposited in amorphous phase and crystallized by post thermal treatment showed better mechanical properties.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
저진공게이지 종합특성 평가장치 개발 홍승수 外著 pp.189-193

MOCVD Copper 박막의 열처리가 Electromigration 특성에 미치는 영향 연구 이원석 外著 pp.194-200

AlGaAs/GaAs HBT 응용을 위한 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉 김일호 ;장경욱 pp.201-206

다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 무질서화 조재원 外著 pp.207-211

수소 열처리를 이용한 고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET 김상기 外著 pp.212-217

실리콘에 도핑된 붕소의 정량분석에 대한 공동분석연구 김경중 外著 pp.218-224

공정변수와 후속 열처리가 저압화학증착 다결정 실리콘 박막의 특성에 미치는 영향 황완식 ;최승진 ;이인규 pp.225-229

LiNbO₃강유전체 박막을 이용한 MFS 커패시터의 게이트 전극 변화에 따른 특성 정순원 ;김광호 pp.230-234

다결정 실리콘의 선택적 성장을 이용한 깊은 트랜치 격리기술 박찬우 外著 pp.235-239

전이금속이 도핑된 TiO₂박막의 제조와 특성 규명 :Fe_x_Ti_1-x_O₂ 김용주 pp.240-248

KOH 용액 및 KOH-IPA 혼합용액에 의한 단결정 실리콘의 이방성식각 특성 조남인 ;천인호 pp.249-255

금속 기판 위에 성장한 탄소나노튜브 특성에 관한 연구 김현숙 外著 pp.256-260

참고문헌 (17건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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