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Protons are irradiated into SOI wafers under total dose of 100 krad, 500 krad, 1 Mrad and 2 Mrad to analyze the irradiation effect. The electrical properties are analyzed by pseudo MOSFET technology after proton irradiation. The wafers are annealed to stabilize generated defects in a nitrogen atmosphere at 300캜 for 1 hour because proton irradiation induces a lot of unstable defects in the surface silicon film. Both negative and positive turn-on voltages are shifted to negative direction after the irradiation. The more proton total dose, the more turn on voltage shifts. It means that positive oxide trap charge is generated in the buried oxide(BOX). The minority carrier lifetime which is analyzed by the drain current transient characteristics decreases with the increase of proton total dose. The proton irradiation makes crystal defects in the silicon film, and consequently, the crystal defects reduce the carrier lifetime and mobility. As these results, it can be concluded that pseudo MOSFET is a useful technology for the analysis of irradiated SOI wafer.

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
Al 이온 주입된 p-type 4H-SiC에 형성된 Ni/Al 오믹접촉의 전기 전도 특성 주성재 ;송재열 ;강인호 ;방 욱 ;김상철 ;김남균 ;이용재 pp.717-723

스크린 프린팅 기법으로 제작된 ZnBO 첨가 (Ba,Sr)TiO₃후막의 Planner Capacitor 특성분석 문상호 ;고중혁 pp.724-727

양자효과를 고려한 실리콘 나노선 트랜지스터의 채널 크기에 따른 전도 및 전하분포 특성 시뮬레이션 황민영 ;최창용 ;문경숙 ;구상모 pp.728-731

Pseudo MOSFET 기술에 의한 양성자 조사 SOI 웨이퍼의 캐리어 수명 분석 정성훈 ;이용현 ;이재성 ;권영규 ;배영호 pp.732-736

Mixed-mode 시뮬레이션을 이용한 SiC DMOSFETs의 스위칭 특성 분석 강민석 ;최창용 ;방 욱 ;김상철 ;김남균 ;구상모 pp.737-740

신경회로망을 이용한 ITO 박막 성장 공정의 모형화 민철홍 ;박성진 ;윤능구 ;김태선 pp.741-746

산화물 박막 트랜지스터 동작에 대한 접촉 저항의 영향 이재상 ;구상모 ;이상렬 pp.747-750

누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드 김민기 ;임지용 ;최영환 ;김영실 ;석오균 ;한민구 pp.751-755

펄스 레이져 증착법으로 성장한 ZnO 박막의 마이크로 PL 특성 분석 이득희 ;임재현 ;김상식 ;이상렬 pp.756-759

Fe₂O₃첨가에 따른 AC PDP 보호막용 MgO 박막의 광학적·전기적 특성 김창일 ;정영훈 ;이영진 ;백종후 ;최은하 ;정 석 ;김정석 pp.760-765

무연계 0.94(Na_0.5_K_0.5_)NbO₃-0.06Ba(Ti_0.9_Sn_0.1_)O₃세라믹의 상전이 거동과 압전 특성 차유정 ;남 산 ;정영훈 ;이영진 ;백종후 pp.766-771

인라인 스퍼터 시스템을 이용한 공정 압력의 변화에 따른 PC 기판상의 ITO 박막특성에 관한 연구 안민형 ;조의식 ;권상직 pp.772-775

PMN계 유전체 적용 EL 소자의 광전특성 연구 금정훈 ;한다솔 ;안성일 ;이성의 pp.776-780

BCP 두께가 청색 인광 OLED의 전기 및 광학적 특성에 미치는 영향 서유석 ;문대규 pp.781-785

몰드변압기의 부분방전 검출기술에 관한 연구 박찬용 ;박대원 ;최재성 ;길경석 pp.786-791

CdS 박막의 기판온도 변화에 따른 전기 및 광학적 특성 박정철 ;이우식 ;추순남 ;조용준 ;전용우 pp.791-797

참고문헌 (5건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 Radiation effects in SOI technologies 네이버 미소장
2 A review of the pseudo-MOS transistor in SOI wafers: operation, parameter extraction, and applications 네이버 미소장
3 Y.-H. Bae, B.-G. Kim, and K.-W. Kwon, “Electrical characterization of nano SOI wafer by pseudo MOSFET”, J. of KIEEME (in Korean), Vol. 18, No. 12, p. 1075, 2005. 미소장
4 S. Cristoloveanu and T. Elewa, “Model for carrier lifetime extraction from pseudo -MOSFET transients”, Eelectronics Letters, Vol. 32, No. 21, p. 2021, 1996. 미소장
5 Y. H. Bae, K. W. Kwon, J. H. Lee, J. H. Lee, H. J. Woo, and S. Cristoloveanu, "Effects of etching processes on the properties of pseudo-MOSFETs for the UTSOI characterization", Silicon on Insulator Technology and Devices 12, PV 2005-03, The Electrocheminal Soc., p. 295, 2005. 미소장

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