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본 논문은 SOI 저잡음 증폭기에서 게이트구조가 핫캐리어에 의한 성능저하에 미치는 영향을 조사하였다. 회로 시뮬레이션은 H-게이트와 T-게이트를 가지는 SOI MOSFET에서 측정된 S-파라미터와 Agilent사의 ADS를 사용하여 스트레스 전후의 H-게이트와 T-게이트 저잡음 증폭기의 성능을 비교하였다. 또한 저잡음 증폭기의 장치 열화와 성능 열화 사이의 관계뿐만 아니라 임피던스 매칭(S11), 잡음 지수와 이득에 관한 저잡음 증폭기의 성능 지수 등을 논의하였다.

This paper presents new results of the impact of gate structure on hot-carrier-induced performance degradation in SOI low noise amplifier. Circuit simulations were carried out using the measured S-parameters of H-gate and T-gate SOI MOSFETs and Agilent’s Advanced Design System (ADS) to compare the performance of H-gate LNA and T-gate LNA before and after stress. We will discuss the figure of merit for the characterization of low noise amplifier in terms of impedance matching (S11), noise figure, and gain as well as the relation between device degradation and performance degradation of LNA.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
Impact of gate structure on hot-carrier-induced performance degradation in SOI low noise amplifier Woo-yong Ohm ;Byong-jin Lee pp.1-5

다파장 IR-heater를 이용한 재작업 장치 설계 조도현 pp.6-11

로봇을 위한 위치 인식 및 경로 안내 시스템에 관한 연구 김용민 ;최인찬 pp.12-21

전문대학 공학계열 수업에서의 성찰저널 적용 사례연구 홍유나 ;맹민재 ;정애경 ;이상회 ;김능연 pp.22-33

IP 안테나를 이용한 RF 중계시스템의 성능분석 강창수 ;백주기 pp.34-40

무선 센서 네트워크에서 데이터 센싱을 고려한 라우팅 기법 송창영 ;이상원 ;조성수 ;김성일 ;원영진 ;강준길 pp.41-47

특정목적 수행을 위한 임베디드 시스템 플랫폼의 최적 선택 문호선 ;김용득 pp.48-55

클라우드 컴퓨팅 환경에서 LMS와 LCMS기반의 이러닝 적용 방안 정화영 ;김은원 ;홍봉화 pp.56-60

참고문헌 (7건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 S. Naseh, M. J. Deen, and O. Marinov, “Effects of hot-carrier stress on the RF performance of 0.18㎛ technology NMOSFETs and circuits,” in Proc. Int. Reliabil. Phys. Symp., pp. 94-104, 2002. 미소장
2 L. Pantisano, D. Schreurs, B. Kaczer, W. Jeamsaksiri, R. Venegas, R. Degrave, K. P. Cheung, and G. Groeseneken, “RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90㎚ RFCMOS,” in IEDM Tech. Dig., pp.181-183, 2003. 미소장
3 Hot-carrier effects and reliable lifetime prediction in deep submicron N- and P-channel SOI MOSFETs 네이버 미소장
4 Qiang Li, Jinlong Zhang, Wei Li, Jiann S Yuan, Yuan Chen, Anthony S. Oates “RF Corcuit performance Degradation Due to Soft Breakdown and Hot-Carrier Effect in Deep-submicrometer CMOS Technology,” IEEE Trans. On microwave and techniques, vol. 49, no. 9, pp. 1546-1551, September 2001. 미소장
5 F. Elliner, “26-42 GHz SOI CMOS Low Noise Amplifier,” IEEE J. of Solid-state circuits, vol. 39, no. 3, pp. 522-528, March 2004. 미소장
6 Effects of gate structures on the RF performance in PD SOI MOSFETs 네이버 미소장
7 Comparison of hot carrier-induced RF performance degradation in H-gate and T-gate SOI MOSFETs 네이버 미소장

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