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높은 광흡수 계수를(1 × 105cm?1) 가지는 CIGS는 Ga의 비율에 따라서 밴드갭을 조절할 수 있다는 장점을 지니고
있다. CIGS의 밴드갭은 Ga의 비율에 따라 CuInSe2(Eg: 1.0 eV)에서 CuGaSe2(Eg: 1.68 eV)까지의 범위에 존재하며, 태양전지에
서 이상적인 fill factor 모양을 가지도록 Ga의 비율을 높게 조성한다. CIGS 흡수층을 제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이
가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노
구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 N2 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환
후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-Al2O3 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission
scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다.
The Cu(In1 ? xGax)Se2 is the absorber material for thin film solar cell with high absorption coefficient of 1 × 10
5
cm?1
. In the case of CIGS, the movable energy band gap from CuInSe2 (1.00 eV) to CuGaSe2 (1.68 eV) can be acquired
while controlling Ga contain ratio. Generally, the co-evaporator method have used for development and fabrication of the
CIGS absorption layer. However, this method should need many steps and lengthy deposition time with high temperature.
For these reasons, in this paper, a new growth method of CIGS layer was attempted to hydride vapor transport (HVT)
method. The CIGS mixed-source material reacted for HCl gas in the source zone was deposited on the substrate after
transporting to growth zone. c-plane Al2O3 and undoped GaN were used as substrates for growth. The characteristics of
grown samples were measured from SEM and EDS.| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 목차 |
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| 새로운 HVT 성장방법을 이용한 CIGS 결정성장 | 이강석 ;전헌수 ;이아름 ;정세교 ;배선민 ;조동완 ;옥진은 ;김경화 ;양민 ;이 | pp.107-112 |
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| 혼합소스 HVPE 방법에 의한 InGaN 나노구조의 성장에 있어서 Sb 첨가의 영향 | 옥진은 ;조동완 ;전헌수 ;이아름 ;이강석 ;조영지 ;김경화 ;장지호 ;안형수 ; | pp.113-116 |
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| Effects of impurity (N₂) on thermo-solutal convection during the physical vapor transport processes of mercurous chloride | Geug-Tae Kim ;Young Joo Kim | pp.117-124 |
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| Influence of thermo-physical properties on solutal convection by physical vapor transport of Hg₂Cl₂-N₂ system ,part1 :Solutal convection | Geug-Tae Kim ;Young Joo Kim | pp.125-132 |
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| 촉매에 따른 다양한 탄소나노구조체 합성 | 최강호 ;유인준 ;이희수 ;이규환 ;임동찬 | pp.133-140 |
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| 올리빈형 LiFe_0.965_Cr_0.03_B_0.005_PO₄ and LiFe_0.965_Cr_0.03_Al_0.005_PO₄ 분말의 전기전도도 | 김창삼 | pp.141-146 |
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| 저급 점토와 석탄회를 이용한 숏크리트용 골재의 제조 | 김경남 ;정희수 ;박현 | pp.147-152 |
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| 휘발성 유기화합물 제거를 위한 제강슬래그로 제조된 세라믹 여재의 흡착효율 | 신준호 ;김태희 ;박경봉 | pp.153-157 |
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