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최근 전 세계적으로 에너지 절감이 큰 사회적 문제로 대두되면서 전기가 쓰이는 제품에는 필수적으로 적용되는 전력반도체의 수요가 급증하고 있는 추세이다. 이러한 전력공급 장치나 전력변환 장치에 사용되는 Power MOSFET 소자는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스이며, 고내압 전력반도체의 내압을 유지하기 위해 다양한 방법이 쓰이고 있다. 대표적인 방법으로 접합부근에 집중되는 전계를 분산시키는 필드링을 이용한 설계 방법이다. 필드링의 주요 변수로 필드링의 개수, 필드링의 접합 깊이, 필드링 간격이며 이러한 변수들의 최적화는 거의 이루어진 상태이다. 따라서 본 연구에서는 기존의 필드링을 시뮬레이션을 이용하여 필드링의 개수, 접합 깊이 등의 최적화 설계를 완료 하였으며 Medici를 사용하여 전기특성을 분석하였다.

Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‘s (MOSFETs) are well known for superior switching speed, and they require very little gate drive power because of the insulated gate. In these respects, power MOSFETs approach the characteristics of an “ideal switch”. The main drawback is on-resistance RDS(on) and its strong positive temperature coefficient. While this process has been driven by market place competition with operating parameters determined by products, manufacturing technology innovations that have not necessarily followed such a consistent path have enabled it. This treatise briefly examines metal oxide semiconductor (MOS) device characteristics and elucidates important future issues which semiconductor technologists face as they attempt to continue the rate of progress to the identified terminus of the technology shrink path in about 2020. We could find at the electrical property as variation p base dose. Ultimately, its ON state voltage drop was enhanced also shrink chip size. To obtain an optimized parameter and design, we have simulated over 500 V Field ring using 8 Field rings. Field ring width was 3 ㎛ and P base dose was 1e15 ㎠. Also the numerical multiple 2.52 ㎠ was obtained which indicates the doping limit of the original device. We have simulated diffusion condition was split from 1,150℃ to 1,200℃. And then 1,150℃ diffusion time was best condition for break down voltage.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
산업용 인버터 구동을 위한 고효율 고내압 Field-stop IGBT 최적화 설계에 관한 연구 이명환, 김범준, 정은식, 정헌석, 강이구 pp.257-263

CaMoO₄:Tb^3+^ 녹색 형광체 분말과 박막의 제조와 발광 특성 전용일, 조신호 pp.264-270

8인치 Si Power MOSFET Field Ring 영역의 도핑농도 변화에 따른 전기적 특성 비교에 관한 연구 김권제, 강예환, 권영수 pp.271-274

산화물반도체 박막트랜지스터 제작 및 전기적 특성 분석 이상렬 pp.275-277

바디 구동 차동 입력단과 Self-cascode 구조를 이용한 0.5 V 2단 연산증폭기 설계 및 제작 김정민, 이대환, 백기주, 나기열, 김영석 pp.278-283

500 V 급 Planar Power MOSFET의 P 베이스 농도 변화에 따른 설계 및 특성 향상에 관한 연구 김권제, 강예환, 권영수 pp.284-288

Reaction Gas 변화에 따라 스퍼터된 Ga Doped ZnO 박막의 특성 김종욱, 김홍배 pp.289-293

공기 중에서 열증발법에 의하여 제작된 정팔면체 ZnO 결정 이근형 pp.294-297

광전극 폭 변화에 따른 W-상호연결 염료감응 태양전지 모듈의 전기적 특성 연구 오병윤, 김상기, 김두근 pp.298-303

CIGS 태양전지의 윈도우 층에 적용되는 ZnO 박막 특성에 관한 온도의 영향 정경서, 권상직, 조의식 pp.304-308

절연유중 부분방전 검출을 위한 안테나의 최적 설계 이정윤, 조향은, 박대원, 길경석, 오재근 pp.309-314

전도성 고분자/CdTe 나노입자/탄소 나노튜브 복합박막의 특성 연구 김도훈, 심성은, 김정수, 남대근, 오원태 pp.315-320

Low-e용 산화물 다층박막 IGZO/Ag/IGZO의 구조적, 광학적 특성 분석 왕홍래, 김홍배, 이상렬 pp.321-324

다중벽 카본 나노튜브를 이용한 FET식 NOx 가스 센싱 시스템 제작 김현수, 장경욱 pp.325-329

형광체 코팅에 따른 Remote Phosphor 구조의 백색 LED 패키지 특성 평가 정희석, 이정근, 강한림, 황명근, 이미재, 김진호, 채유진, 이영식 pp.330-334

참고문헌 (5건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1  B. K. Bose, IEEE Trans. Ind. Appl., 28, 403 (1992). 미소장
2  E. G. Kang, B. J. Kim, and Y. H. Lee, J. KIEEME, 23, 1 (2010). 미소장
3  Y. Jin, C. Zeng. L. Ma, and D. Barlage, Solid-State Electron., 51, 347 (2007) 미소장
4  J. He, M. Chan, X. Zhang, and Y. Wang, Solid-State Electron., 50, 1375 (2006). 미소장
5  Y. S. Hong, H. S. Chung, E. S. Jung, and E. G. Kang, J. KIEEME, 24, 794 (2011). 미소장

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