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$m$면 사파이어의 질화온도에 따른 $m$면 GaN 박막의 주요 결함의 변화를 고온성장한 $m$면 GaN의 표면과, X선 회절, PL (photoluminescence) 측정결과와 연관 지어 고찰하였다. 700 $^{\circ}$C에서 질화 처리한 시료에서 가장 평탄한 표면의 GaN가 얻어진 점으로부터 중간 온도에서 질화 처리한 경우 결함의 발생이 최소화된다고 추론하였다. 이러한 결과는 XRD 측정 결과를 통해 질화처리의 온도가 상승함에 따라 (11\underline{2}2)면의 intensity가 증가하는 점과, PL에서 동일한 적층결함 관련 발광강도의 변화가 관찰된 점으로 부터 확인하였다. 이러한 결과는 질화온도의 변화가 표면의 AlON 결정상의 변화를 유도하여 $m$면 GaN 박막 내부의 적층 결함의 종류와 밀도가 변화하는 것으로 고찰하였다.

Obtaining high-quality heteroepitaxial non-polar nitrides is difficult due to the large lattice mismatch and the high density of crystalline defects in the films. Because those problems are closely related to each other and occur simultaneously from the very initial stage of the growth, a systematic study on the effect of each growth step on the quality of the grown film is very important. We have investigated the effect of the nitridation temperature on the growth of $m$-plane GaN layers on $m$-plane sapphire substrates. We discuss the surface morphology, X-ray diffraction, and photoluminescence properties for various nitridation conditions. The surface morphology was found to be very closely related to the nitridation condition. Also, X-ray diffraction and photoluminescence measurements showed considerable change in the crystallinity of the $m$-GaN layer due to variations in the nitridation conditions, which was due to the crystal-phase variation of AlON on the surface during the nitridation process.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
기판온도에 따른 MxFe3-xO4 (M = Cu, Co)박막의 형성과 자기적 특성 이정식 pp.806-810

N형 반도체 전계방출의 열전 냉각 김양경, 정문성 pp.831-836

m면 사파이어 기판 상의 질화처리 공정 영향에 따른 m면 질화갈륨 성장에 대한 연구 정수훈, 최성국, 유진엽, 장원범, 이정우, 장지호, 이상태 pp.837-843

128,130Xe에서 E(5) 임계점 대칭 이수연, 이종환 pp.766-770

중고생을 위한 사이클로이드 실험 연구 이원명 pp.756-760

Optical Properties of Transition-metal Oxides of MnO and Fe0.925O Crystals Studied with Spectroscopic Ellipsometry and Raman Spectroscopy Jun-Woo Park, Sung KIM, Suk-Ho CHOI, Ho-Sun Lee pp.818-825

Extraction of Information Dimensions for Phonemes and Its Application to Speech Detection & Segmentation 이창영 pp.778-782

혼합 용매 사용을 통한 고분자 태양전지의 효율 개선 연구 노경환, 박성흠, 정윤경 pp.800-805

액체 헬륨 필름에서 로톤으로 제한된 열경계 충격파에 관한 연구 전철원 pp.794-799

솔젤 (Sol-gel) 방법에 의한 Pb5Ge3O11박막의 제작과 강유전 특성 이호섭, 정창희, 김효은, 김진수, 장기완 pp.811-817

Li+ 및 Al3+ 이온의 첨가에 의한 YPO4:Eu3+ 형광체의 형광특성 비교 신평지, 이성수 pp.826-830

물리 문제 해결의 새로운 접근 : House Model의 개발을 중심으로 변태진, 이경호 pp.745-755

고에너지 산란과정에서 강한 상호작용에 대한 고차항의 계산 김철 pp.707-734

희토류 원소 Eu가 첨가된 비납계 유리의 유전 특성 박종호 pp.844-850

중성자 반사율 측정법에 따른 장치 분해능 영향 평가 이정수 pp.783-793

아주 큰 Nf 극한에서 3차원 양자 전자기학의 낮은 에너지 유효장 이론 홍덕기 pp.761-765

주기적 분극 반전된 KTiOPO4 결정에서 자발 매개 하향변환 광원을 이용한 고스트 이미징 이희정, 이그림, 김헌오, 문한섭 pp.771-777

과학영재를 대상으로 한 우주용 소질량 측정장비 활용 힘과 운동 탐구수업의 적용 및 효과 분석 김소연, 신인철, 김연규, 이주희 pp.735-744

참고문헌 (32건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn and J. Menniger et al., Nature 406, 865 (2000). 미소장
2 J. L. Hollander, M. J. Kappers, C. McAleese and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 92, 101104 (2008). 미소장
3 M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer and U. K. Mishra et al., Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2004). 미소장
4 J. J. Huang, K. C. Shen, W. Y. Shiao, Y. S. Chen and T. C. Liu et al., Appl. Phys. Lett. 92, 231902 (2008). 미소장
5 Ph. Ebert, L. Ivanova, S. Borisova, H. Eisele and A. Laubsch et al., Appl. Phys. Lett. 94, 062104 (2009). 미소장
6 T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 84, 4717 (2004). 미소장
7 S. Khromov, B. Monemar, V. Avrutin, X. Li and H. Morkoc et al., Appl. Phys. Lett. 100, 172108 (2012). 미소장
8 M. Frentrup, S. Ploch, M. Pristovsek and M. Kneissl, Phys. Stat. Sol. B 248, 583 (2011). 미소장
9 Y. L. Hu, S. Kramer, P. T. Fini and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 101, 112102 (2012). 미소장
10 Y. A. R. Dasilva, M. P. Chauvat, P. Ruterana, L. Lahourcade and E. Monroy et al., J. Phys. Condens. Matter 22, 355802 (2010). 미소장
11 T. Zhu, D. Martin and N. Grandjean, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 020226 (2009). 미소장
12 D. Hull and D. J. Bacon, Introduction to Dislocations, 3rd ed. (International Series on Material Science and Technology), Vol. 37. 미소장
13 S. Mikroulis, A. Georgakilas, A. Kostopoulos, V. Cimalla and E. Dimakis, Appl. Phys. Lett. 80, 2886 (2002). 미소장
14 M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Namkoong and W. Alan Doolittle et al., J. Appl. Phys. 91, 2508 (2002). 미소장
15 S. W. Feng, C. K. Yang, C. M. Lai, L. W. Tu and Q. Sun et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 375103 (2011). 미소장
16 P. Vennegues and B. Beaumont, Appl. Phys. Lett. 75, 4115 (1999). 미소장
17 M. Seelmann-Eggebert, H. Zimmermann, H. Obloh, R. Niebuhr and B. Wachtendorf, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2008 (1998). 미소장
18 K. Uchida, A.Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi and T. Tanaka et al., J. Appl. Phys. 79, 3487 (1996). 미소장
19 T. Hashimoto, Y. Terakoshi, M. Ishida, M. Yuri and O. Imafuji et al., J. Cryst. Growth. 189/190, 254 (1998). 미소장
20 J. W. Cauley, J. Am. Ceram. Soc. 61, 372 (1978). 미소장
21 J. W. Cauley and N. D. Corbin, J. Am. Ceram. Soc. 62, 476 (1979). 미소장
22 J. Mei, S. Srinivasan, R. Liu, F. A. Ponce and Y. Narukawa et al., Appl. Phys. Lett. 88, 141912 (2006). 미소장
23 A. Govorkov, A. Donskov, L. Diakonov, Y. Kozlova and S. Malahov et al., Physica B 404, 4919 (2009). 미소장
24 T. Wernicke, C. Netzel, M. Weyers and M. Kneissl, Phys. Stat. Sol. c 5, 1815 (2008). 미소장
25 L. Lahourcade, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, M. Abouzaid and P. Ruterana, Appl. Phys. Lett. 90, 131909 (2007). 미소장
26 R. Armitage and H. Hirayama, Appl. Phys. Lett. 92, 092121 (2008). 미소장
27 P. Ruterana, B. Lacroix and K. Lorenz, J. Appl. Phys. 109, 013506 (2011). 미소장
28 I. Tischer, M. Feneberg, M. Schirra, H. Yacoub and R. Sauer et al., Phys. Stat. Sol. B 248, 611 (2011). 미소장
29 H. J. Lee, J. S. Ha, T. Goto, T. Yao and C. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 94, 102103 (2009). 미소장
30 T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L154 (2006). 미소장
31 T. Wei, R. Duan, J. Wang, J. Li and Z. Huo et al., Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3346 (2008). 미소장
32 C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 57, R15052 (1998). 미소장

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