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목차 1

SiC 전력반도체 최신 기술동향 ＝ Latest technology trends of SiC power semiconductor devices / 석오균 1

요약 1

Abstract 1

1. 서론 1

2. 1.7kV급 SiC MOSFET 개발 트렌드 2

3. 650V급 SiC MOSFET 개발 트렌드 3

4. 650V급 SiC MOSFET과 1.7kV급 SiC MOSFET의 설계 차이점 4

5. 결론 5

저자소개 5

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
SiC 전력반도체 로드맵 = SiC power device road map 강혜민 p. 10-14

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SiC 전력반도체 최신 기술동향 = Latest technology trends of SiC power semiconductor devices 석오균 p. 15-19

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페로브스카이트 산화물인 BaTiO3를 이용한 MLCC = MLCC using perovskite oxide, BaTiO3 하민우, 이준영, 석오균 p. 20-27

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관절염 환자들에게 희망이 될 수 있을까? : 자가 골수 줄기세포 주사치료 유동석 p. 28-30

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