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[표제지 등]=0,1,2

인사말씀=1,3,2

제출문=3,5,2

요약문=5,7,10

목차=15,17,5

표목차=20,22,1

그림목차=21,23,2

제1장 서론=23,25,4

제2장 내장형 인덕터=27,29,3

제1절 개요=29,31,2

제2절 설계 및 공정=30,32,3

제3절 측정 및 분석=32,34,7

제4절 결론=39,41,2

제3장 WLP 공정=41,43,3

제1절 개요=43,45,2

제2절 Solder bump 형성=44,46,3

제3절 결과 및 고찰=46,48,8

제4절 결론=53,55,2

제4장 Flip-Chip Bump의 설계=55,57,3

제1절 개요=57,59,1

제2절 Flip chip 해석구조=57,59,2

제3절 범프의 높이에 따른 해석 및 비교=58,60,5

제4절 결론=63,65,2

제5장 WLP 시제품 제작=65,67,3

제1절 개요=67,69,2

제2절 10 Gbps Limiting Amplifier용 기판 제작=68,70,2

제3절 10 Gbps Limiting Amplifier모듈 제작=70,72,3

제4절 10 Gbps Limiting Amplifier특성 측정=72,74,3

제5절 결론=74,76,3

제6장 결론=77,79,4

부록=81,83,7

표목차

(표2-1-1) Spiral inductor의 설계 변수=30,32,1

(표2-3-1) 폭 40㎛인 인덕터의 fiting 값(S:간격, Din:내경)(이미지 참조)=37,39,1

(표5-2-1) 기판 규격=68,70,1

(표5-3-1) Flip-chip bonding sequences=70,72,1

그림목차

(그림2-3-1) BCB코팅 속도변화에 따른 두께 변화=32,34,1

(그림2-3-2) BCB 패턴의 SEM 사진=33,35,1

(그림2-3-3) Via 단면의 SEM사진=34,36,1

(그림2-3-4) 내장형 인덕터=34,36,1

(그림2-3-5) 인덕터 분석절차=35,37,1

(그림2-3-6) 인덕터 등가회로=36,38,1

(그림2-3-7) 나선형 인덕터의 내경 및 간격 변화에 따른 Q값 (폭: 4㎛ 간격 : 10-40㎛ 턴수 : 4회)=37,39,1

(그림2-3-8) 내경 변화에 따른 나선형 인덕터의 인덕턴스 값=38,40,1

(그림2-3-9) 내경/폭/턴수 각각 40㎛/10㎛/4회인 인덕터의 S 파라미터(주파수: 0.5GHz to 10GHz)=38,40,1

(그림3-2-1) 스핀속도에 따른 감광막 두께 변화=46,48,1

(그림3-2-2) 노광에너지 변화에 따른 비아홀 단면 SEM 사진=47,49,1

(그림3-2-3) Ring contact 사용시 전류밀도에 따른 도금 두께 변화=49,51,1

(그림3-2-4) 솔더범프의 RBS분석=49,51,1

(그림3-2-5) 직경 및 pitch가 각각40/100㎛인 eutectic Solder bump SEM 사진=50,52,1

(그림3-2-6) 직경 및 pitch가 40/100㎛인 eutectic Solder bump의 reflow후 SEM 사진=51,53,1

(그림3-2-7) 비아 직경 별 도금된 범프의 직경 및 높이변화=52,54,1

(그림4-2-1) Flip-Chip 해석 구조=58,60,1

(그림4-2-2) Bump 높이에 따른 전송특성(범프직경 50㎛, 간격 150㎛)=59,61,1

(그림4-2-3) Bump 높이에 따른 전송특성(범프직경 50㎛, 간격 250㎛)=60,62,1

(그림4-2-4) Bump 높이에 따른 전송특성(범프간격 70㎛, 간격 150㎛)=61,63,1

(그림4-2-5) Bump 높이에 따른 전송특성(범프특성 70㎛, 간격 250㎛)=62,64,1

(그림5-2-1) WLP용 리미팅 증폭기 알루미나 기판=69,71,1

(그림5-3-1) Flip-chip bonding 후의 기관=71,73,1

(그림5-3-2) 10 Gbps 리미팅 증폭기 모듈=71,73,1

(그림5-4-1) 측정된 S-parameter 특성=73,75,1

(그림5-4-2) 리미팅 증폭기의 출력 eye 패턴=74,76,1

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