1. 단일 칩 RF 집적회로 설계를 위한 새로운 실리콘 RF CMOS 기판 모델 연구 [전자자료]

주관연구책임자: 이성현 ; 과학기술부 [편]

일반도서 | 과천 | 과학기술부 | 2004 | 전자형태로만 열람 가능함 | 전자자료 |

2. Floating Body PD-SOI MOSFET 등가회로의 RF Inductive 효과 파라미터에 대한 게이트 전압 종속성 분석 = Analysis of gate-voltage dependence of RF inductive effect parameters in equivalent circuit for floating body PD-SOI MOSFETs

조원기, 이성현

국내기사 | Journal of the institute of electronics and information engineers = 전자공학회논문지. 제61권 제11호 통권 제564호 (2024년 11월), p. 164-171 | 대한전자공학회 | 2024. 11. 25 |

3. PD-SOI MOSFET의 외부 캐패시턴스 추출을 위한 개선된 RF 방법 = Improved RF method to extract extrinsic capacitances in PD-SOI MOSFETs

국진욱, 이성현

국내기사 | 전자공학회 논문지 = Journal of the institute of electronics and information engineers. 제58권 제4호 통권 제521호 (2021년 4월), p. 3-8 | 대한전자공학회 | 2021. 4. 25 |

4. 밀리미터파 스위치 집적회로 설계를 위한 고저항 실리콘 SOI MOSFET의 새로운 RF 대신호 모델 연구 [전자자료]

과학기술정보통신부 [편]

일반도서 | 세종 | 과학기술정보통신부 | 2021 | 전자형태로만 열람 가능함 | 전자자료 |

5. Body Contact된 High Resistivity PD-SOI N-MOSFET에서 발생하는 RF Inductive 효과의 드레인 전압 종속성 분석 = Drain voltage dependence analysis of RF inductive effect in body contacted high resistivity PD-SOI N-MOSFETs

이기안, 이성현

국내기사 | 전자공학회 논문지 = Journal of the institute of electronics and information engineers. 제58권 제2호 통권 제519호 (2021년 2월), p. 17-23 | 대한전자공학회 | 2021.02.25 |

6. Body Contact된 PD-SOI nMOSFET의 Kink 효과에 대한 이론 및 분석 = Theory and analysis of kink effect in body contacted PD-SOI nMOSFETs

이기안, 이성현

국내기사 | 전자공학회 논문지 = Journal of the institute of electronics and information engineers. 제56권 제11호 통권 제504호 (2019년 11월), p.15-21 | 대한전자공학회 | 2019.11.25 |

7. Body Contact된 High Resistivity PD-SOI nMOSFET의 Empirical Kink 효과 모델링 = Empirical Kink Effect Modeling for Body Contacted High Resistivity PD-SOI nMOSFETs

이기안, 이성현

국내기사 | 전자공학회 논문지 = Journal of the institute of electronics and information engineers. 제55권 제12호 통권 제493호 (2018년 12월), p.47-52 | 대한전자공학회 | 2018.12.25 |

8. 초고주파 Silicon-on-Insulator MOSFET을 위한 새로운 RF 및 Distortion Compact 모델링 [전자자료]

과학기술정보통신부 [편]

일반도서 | 세종 | 과학기술정보통신부 | 2018 | 전자형태로만 열람 가능함 | 전자자료 |

9. High Resistivity SOI RF CMOS 인덕터의 주파수 종속 Quality Factor 모델링 = Frequency-Dependent Quality Factor Modeling of High Resistivity SOI RF CMOS Inductor

이창조, 이성현

국내기사 | 전자공학회 논문지 = Journal of the institute of electronics and information engineers. 제54권 제9호 통권 제478호 (2017년 9월), pp.31-37 | 대한전자공학회 | 2017.09.25 |

10. RF SoC 설계를 위한 새로운 스케일러블 RF CMOS 비선형 모델링 및 파라미터 추출 연구 [전자자료]

미래창조과학부 [편]

일반도서 | 과천 | 미래창조과학부 | 2015 | 전자형태로만 열람 가능함 | 전자자료 |