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국내기사 강유전체를 이용한 무접합 타원형 Gate-All-Around FET의 문턱 전압 이하 스윙 모델 = Subthreshold swing model of elliptic junctionless gate-all-around FET using ferroelectric 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제38권 제2호 (2025년 3월), p. 179-186
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2025. 3. 1

자료이용 :

서울관전자자료, 정기간행물실(524호)

2.

국내기사 NCFET (negative capacitance FET)에서 잔류분극과 항전계가 문턱전압과 드레인 유도장벽 감소에 미치는 영향 = Impact of remanent polarization and coercive field on threshold voltage and drain-induced barrier lowering in NCFET (negative capacitance FET) 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제37권 제1호 (2024년 1월), p. 48-55
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2024. 1. 1

자료이용 :

서울관전자자료, 정기간행물실(524호)

3.

국내기사 강유전체를 이용한 음의 정전용량 무접합 이중 게이트 MOSFET의 문턱전압 모델 = Analytical model of threshold voltage for negative capacitance junctionless double gate MOSFET using ferroelectric 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제36권 제2호 (2023년 3월), p. 129-135
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2023. 3. 1

자료이용 :

서울관전자자료, 정기간행물실(524호)

4.

국내기사 가우스 함수의 파라미터에 따른 비대칭형 무접합 이중 게이트 MOSFET의 문턱전압 이하 스윙 분석 = Analysis on subthreshold swing of asymmetric junctionless double gate MOSFET for parameters for Gaussian function 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제35권 제3호 (2022년 5월), p. 255-263
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2022. 5. 1

자료이용 :

서울관전자자료, 정기간행물실(524호)

5.

국내기사 대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 스케일 길이를 이용한 문턱전압 이하 스윙 모델 = Subthreshold swing model using scale length for symmetric junctionless double gate MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제34권 제2호 (2021년 3월), p. 142-147
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2021.03.01

자료이용 :

서울관전자자료, 정기간행물실(524호)

6.

국내기사 비대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 문턱전압이동 관계 = Relationship of threshold voltage roll-off and gate oxide thickness in asymmetric junctionless double gate MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자학회 논문지 = Journal of IKEEE. 제24권 제1호 통권 제72호 (2020년 3월), p. 194-199
발행사항 : 서울 : 한국전기전자학회, 2020.03.31

자료이용 :

서울관정기간행물실(524호)

7.

국내기사 10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프전압 ΔVon-off에 대한 분석 = Analysis of on-off voltage ΔVon-off in sub-10 nm junctionless cylindrical surrounding gate MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자학회 논문지 = Journal of IKEEE. 제23권 제1호 통권 제68호 (2019년 3월), p.29-34
발행사항 : 서울 : 한국전기전자학회, 2019.03.31

자료이용 :

서울관정기간행물실(524호)

8.

국내기사 접합 및 무접합 이중게이트 MOSFET에 대한 문턱전압 이동 및 드레인 유도 장벽 감소 분석 = Analysis of threshold voltage roll-off and drain induced barrier lowering in junction-based and junctionless double gate MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제32권 제2호 (2019년 3월), p.104-109
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2019.03.01

자료이용 :

서울관정기간행물실(524호)

9.

국내기사 무접합 이중 게이트 MOSFET에서 문턱전압 추출 = Extraction of Threshold Voltage for Junctionless Double Gate MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제31권 제3호 (2018년 3월), pp.146-151
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2018.03.01

자료이용 :

서울관정기간행물실(524호)

10.

국내기사 무접합 원통형 MOSFET에 대한 드레인 유도 장벽 감소의 SPICE 모델 = SPICE Model of Drain Induced Barrier Lowering in Junctionless Cylindrical Surrounding Gate (JLCSG) MOSFET 정학기

수록정보 : 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers. 제31권 제5호 (2018년 7월), p.278-282
발행사항 : 서울 : 한국전기전자재료학회, 2018.07.01

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